对比图
型号 IRFR2607ZPBF STD26NF10 STD35NF06LT4
描述 Trans MOSFET N-CH Si 80V 45A 3Pin(2+Tab) DPAKN沟道100V - 0.033Ω - 25A - DPAK低栅极电荷的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD35NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.5 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 75.0 V - 60.0 V
额定电流 45.0 A - 35.0 A
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 22 mΩ 0.033 Ω 0.014 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 110 W 100 W 80 W
阈值电压 4 V 3 V 1 V
输入电容 1.44 nF 1550 pF 1700 pF
漏源极电压(Vds) 75 V 100 V 60 V
漏源击穿电压 - - 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) 45.0 A 25A 17.5 A
上升时间 - 60 ns 100 ns
输入电容(Ciss) 1440pF @25V(Vds) 1550pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 100 W 80 W
下降时间 - 15 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 100W (Tc) 80W (Tc)
额定功率 110 W - -
产品系列 IRFR2607Z - -
栅电荷 51.0 nC - -
工作结温(Max) 175 ℃ - -
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99