对比图
型号 STF10N65K3 STF21N65M5 STF8N65M5
描述 STMICROELECTRONICS STF10N65K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STF21N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 650 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STF8N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 650 V, 0.56 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 1 Ω 0.15 Ω 0.56 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 35 W 30 W 25 W
阈值电压 3 V 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 10A 17A 7A
输入电容(Ciss) 1180pF @25V(Vds) 1950pF @100V(Vds) 690pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 35 W 30 W 25 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 35W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
上升时间 14 ns - 14 ns
下降时间 35 ns - 11 ns
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 16.4 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 - Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17