对比图
型号 FCPF400N60 SPA11N60C3XKSA1 IPA60R385CPXKSA1
描述 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。PG-TO220-3-31 整包INFINEON IPA60R385CPXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3-31 TO-220-3
额定功率 - - 31 W
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.35 Ω 0.34 Ω 0.35 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 31 W 33 W 31 W
阈值电压 2.5 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 650 V
连续漏极电流(Ids) 10A 11A 9.00 A
上升时间 - 5 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1580pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) 790pF @100V(Vds)
下降时间 - 5 ns 5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 31W (Tc) 33W (Tc) 31W (Tc)
额定功率(Max) 31 W 33 W -
长度 10.36 mm 10.65 mm 10.65 mm
宽度 4.9 mm 4.85 mm 4.85 mm
高度 16.07 mm 9.83 mm 16.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3-31 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17