对比图
型号 IXFH30N50P IXFV30N50P APT5016BLLG
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH30N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V
额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A
耗散功率 460 W 460W (Tc) 329 W
输入电容 4.15 nF 4.15 nF 2.83 nF
栅电荷 70.0 nC 70.0 nC 72.0 nC
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A
上升时间 24 ns - 10 ns
输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 2833pF @25V(Vds)
下降时间 24 ns - 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 329W (Tc)
漏源极电阻 0.2 Ω 200 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel -
漏源击穿电压 500 V 500 V -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
阈值电压 5 V - -
反向恢复时间 200 ns - -
额定功率(Max) 460 W - -
封装 TO-247-3 TO-220-3 TO-247-3
宽度 5.3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -