DTA143ZET1G和FJV4114RMTF

对比图

型号 DTA143ZET1G FJV4114RMTF DTA143ZET1

描述 PNP 晶体管，ON Semiconductor### 标准带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。### 数字晶体管，On Semiconductor配备电阻器的双极性晶体管也称为“数字晶体管”或“偏流电阻器的晶体管”，包含一个或两个集成电阻器。 单一系列输入电阻器，或两个电阻器的分压器能直接从数字源驱动这些设备。 提供单和双晶体管型号。特点•开关应用（偏置电阻内置）•开关电路，逆变器，接口电路，驱动器电路•内置偏置电阻（R1=4.7KΩ，R2=47KΩ）•到FJV3114R补偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 SC-75-3 SOT-23-3 SOT-416

额定电压(DC) -50.0 V -50.0 V -50.0 V

额定电流 -100 mA -100 mA -100 mA

无卤素状态 Halogen Free - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 0.3 W 0.2 W -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 68 @5mA, 5V 80 @5mA, 10V

最大电流放大倍数(hFE) 80 68 -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 200 mW -

增益带宽 - 200 MHz -

长度 1.65 mm 2.92 mm -

宽度 0.9 mm 1.3 mm -

高度 0.8 mm 0.93 mm -

封装 SC-75-3 SOT-23-3 SOT-416

工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -