对比图
型号 NTJD4001NT1 NTJD4001NT1G NTJD5121NT1G
描述 小信号MOSFET Small Signal MOSFETON SEMICONDUCTOR NTJD4001NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 250 mA, 30 V, 1 ohm, 4 V, 1.2 VON SEMICONDUCTOR NTJD5121NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 304 mA, 60 V, 1 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 250 mA 250 mA -
漏源极电阻 1.50 Ω 1 Ω 1 Ω
极性 N-Channel Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 272 mW 272 mW 266 mW
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 250 mA 250 mA 330 mA, 295 mA
上升时间 23 ns 23 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 33pF @5V(Vds) 33pF @5V(Vds) 26pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 272 mW 272 mW 250 mW
下降时间 23 ns 82 ns 32 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
针脚数 - 6 6
阈值电压 - 1.2 V 1.7 V
正向电压(Max) - - 1.2 V
耗散功率(Max) - 2.72 W 266 mW
输入电容 - 20pF @5V -
长度 2 mm 2.2 mm 2.2 mm
宽度 1.25 mm 1.35 mm 1.35 mm
高度 0.9 mm 1 mm 1 mm
封装 SC-70-6 SC-70-6 SOT-363
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99