对比图
型号 NTB18N06LT4 NTB5605T4G NTB18N06
描述 功率MOSFET 15安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic LevelD2PAK P-CH 60V 18.5A功率MOSFET 15 A， 60 V ， N沟道TO- 220和D2PAK Power MOSFET 15 A, 60 V, N−Channel TO−220 & D2PAK
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
极性 N-Channel P-Channel N-Channel
耗散功率 48.4W (Tc) 88W (Tc) 48.4 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 15.0 A -18.5 A, 18.5 A 15.0 A
上升时间 121 ns 122 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 1190pF @25V(Vds) 450pF @25V(Vds)
下降时间 - 75 ns 13 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 48.4W (Tc) 88W (Tc) 48.4W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 15.0 A - 15.0 A
漏源极电阻 100 mΩ - 90.0 mΩ
输入电容 - - 450 pF
栅电荷 - - 22.0 nC
漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V
栅源击穿电压 ±10.0 V - ±20.0 V
额定功率(Max) 48.4 W - -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.29 mm
宽度 - - 9.65 mm
高度 - - 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead
ECCN代码 - EAR99 -