NTB18N06LT4参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTB18N06LT4概述

功率MOSFET 15安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level

表面贴装型 N 通道 60 V 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

NTB18N06LT4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 15.0 A

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 48.4W Tc

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±10.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 121 ns

输入电容Ciss 440pF @25VVds

额定功率Max 48.4 W

耗散功率Max 48.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买NTB18N06LT4

型号： NTB18N06LT4

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 15安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level

替代型号NTB18N06LT4