对比图
描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62500mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R单晶体管, IGBT, 25 A, 1.1 V, 125 W, 400 V, TO-252, 3 引脚
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
耗散功率 62500 mW 125 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 435 V
反向恢复时间 50 ns -
额定功率(Max) 62.5 W 125 W
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 62500 mW 150000 mW
针脚数 - 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 EAR99 -