BC856BW-7-F和BC856BWE6327BTSA1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC856BW-7-F BC856BWE6327BTSA1 BC 856BW E6433

描述 Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW Automotive 3Pin SOT-323 T/RSOT-323 PNP 65V 0.1A双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Silicon AF TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

引脚数 3 - -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 250 mW 250 mW

耗散功率(Max) 200 mW 250 mW -

额定电压(DC) -65.0 V - 10.0 V

电容 - - 1.50 pF

耗散功率 0.2 W - 250 mW

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

频率 200 MHz - -

额定电流 -100 mA - -

封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323-3

长度 - - 2 mm

宽度 - - 1.25 mm

高度 - - 0.9 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -

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