FCH47N60_F133和IPW60R070C6

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FCH47N60_F133 IPW60R070C6 SIHG47N60E-GE3

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FCH47N60_F133  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 47 A, 600 V, 0.058 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能E系列功率MOSFET E Series Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) VISHAY (威世)

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.058 Ω - 0.053 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 417 W 391W (Tc) 357 W

阈值电压 3 V 3 V 2.5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 47A 53A 47A

输入电容(Ciss) 8000pF @25V(Vds) 3800pF @100V(Vds) 4810pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 417 W 391 W 357 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 417W (Tc) 391W (Tc) 357 W

上升时间 - 12 ns 11 ns

正向电压(Max) - - 1.2 V

下降时间 - 5 ns 13 ns

通道数 - 1 -

高度 20.82 mm 21.1 mm 20.7 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 - 16.13 mm 15.87 mm

宽度 - 5.21 mm 5.31 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -

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