对比图
型号 FDS4435BZ FDS6679 FDS4435
描述 汽车 P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6679 晶体管, MOSFET, P沟道, -13 A, -30 V, 0.0073 ohm, -10 V, -1.6 VMOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Ta)
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
上升时间 6 ns 10 ns 13.5 ns
输入电容(Ciss) 1365pF @15V(Vds) 3939pF @15V(Vds) 1604pF @15V(Vds)
下降时间 12 ns 65 ns 25 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2500 mW 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
针脚数 8 8 -
漏源极电阻 0.016 Ω 0.0073 Ω -
阈值电压 2.1 V - -
正向电压(Max) 1.2 V - -
额定功率(Max) 1 W 1 W -
额定电压(DC) - -30.0 V -
额定电流 - -13.0 A -
极性 - P-Channel -
输入电容 - 3.94 nF -
栅电荷 - 71.0 nC -
漏源击穿电压 - 20.0 V -
栅源击穿电压 - ±25.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 13.0 A -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 5 mm - -
宽度 4 mm - -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -