V12P10HM3/86A和V12P10-E3/87A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 V12P10HM3/86A V12P10-E3/87A V12P10-M3/87A

描述 高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier高电流密度表面贴装Trench MOS势垒肖特基整流器 High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 PowerDFN-3 PowerDFN-3 TO-277-3

输出电流 - ≤12.0 A -

正向电压 700mV @12A 700mV @12A 700mV @12A

极性 - Standard -

正向电压(Max) 700mV @12A 700mV @12A -

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

封装 PowerDFN-3 PowerDFN-3 TO-277-3

长度 - - 6.15 mm

宽度 - - 4.75 mm

高度 - - 1.2 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -40℃ ~ 150℃ - -40℃ ~ 150℃

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