CSD17308Q3和PHD36N03LT,118

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD17308Q3 PHD36N03LT,118 CSD17327Q5A

描述 30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFETDPAK N-CH 30V 43.4A30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) NXP (恩智浦) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 3 8

封装 VSON-Clip-8 TO-252-3 VSON-8

通道数 1 - 1

针脚数 8 - -

漏源极电阻 0.0094 Ω - 15.5 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-CH

耗散功率 2.7 W 57.6 W 3 W

阈值电压 1.3 V - 1.6 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 50A 43.4A 13A

上升时间 5.7 ns 10 ns 8.2 ns

输入电容(Ciss) 700pF @15V(Vds) 690pF @25V(Vds) 506pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.7 W 57.6 W -

下降时间 2.3 ns 19 ns 3.2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 2.7W (Ta) 57.6W (Tc) 3W (Ta)

漏源击穿电压 - - 30 V

长度 3.4 mm - 6 mm

宽度 3.4 mm - 4.9 mm

高度 1.1 mm - 1 mm

封装 VSON-Clip-8 TO-252-3 VSON-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 Obsolete 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

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