对比图
描述 点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK点火IGBT 20安培， 350伏特， N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 350 V 350 V
额定电流 20.0 A 20.0 A
输出接口数 - 1
耗散功率 125 W 125000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 390 V 390 V
额定功率(Max) 125 W 125 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 125000 mW
封装 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free
ECCN代码 - EAR99