NGD8205NT4G

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NGD8205NT4G概述

点火IGBT 20安培, 350伏特, N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK

IGBT - 390 V 20 A 125 W 表面贴装型 DPAK


得捷:
IGBT 390V 20A 125W DPAK


贸泽:
Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers 20A 350V Ignition N-Channel


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans IGBT Chip N-CH 390V 20A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
IGBT 390V 20A 125W DPAK


NGD8205NT4G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 350 V

额定电流 20.0 A

输出接口数 1

耗散功率 125000 mW

击穿电压集电极-发射极 390 V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NGD8205NT4G
型号: NGD8205NT4G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:点火IGBT 20安培, 350伏特, N沟道DPAK Ignition IGBT 20 Amp, 350 Volt, N−Channel DPAK
替代型号NGD8205NT4G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ON Semiconductor 安森美

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