BC857BW-7-F和SBC857BWT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BW-7-F SBC857BWT1G BC857BLT3G

描述 DIODES INC.  BC857BW-7-F  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 200 MHz, 200 mW, -100 mA, 290 hFE单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 220 hFE通用晶体管 General Purpose Transistors

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-23-3

频率 200 MHz 100 MHz 100 MHz

针脚数 3 3 -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 200 mW 150 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

额定功率(Max) 200 mW 150 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) 290 220 290

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200 mW 150 mW 300 mW

额定电压(DC) -65.0 V - -45.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

增益频宽积 - - 100 MHz

封装 SOT-323-3 SC-70-3 SOT-23-3

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 1 mm - 0.94 mm

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

军工级 Yes - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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