IPD090N03LG和IRLR8729TRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD090N03LG IRLR8729TRLPBF IPB080N03LGATMA1

描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorDPAK N-CH 30V 58AD2PAK N-CH 30V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 42 W 55 W 47 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 58A 50A

上升时间 - 47 ns -

输入电容(Ciss) 1600pF @15V(Vds) 1350pF @15V(Vds) 1900pF @15V(Vds)

下降时间 - 10 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 55W (Tc) 47W (Tc)

额定功率 - - 47 W

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 0.0067 Ω

阈值电压 - - 1 V

额定功率(Max) 42 W - -

长度 - 6.5 mm 10 mm

宽度 - 6.22 mm 9.25 mm

高度 - 2.3 mm 4.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

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