FQI2N90和FQI2N90TU

对比图

型号 FQI2N90 FQI2N90TU IRFBF20LPBF

描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETN沟道 900V 2.2APower Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 900V, 8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, TO-262, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Intertechnology

分类 MOS管

封装 TO-262 TO-262-3 TO-262

安装方式 - Through Hole -

封装 TO-262 TO-262-3 TO-262

长度 - 10.29 mm -

宽度 - 4.83 mm -

高度 - 7.88 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

额定电压(DC) - 900 V -

额定电流 - 2.20 A -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 7.2 Ω -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 3.13 W -

漏源极电压(Vds) - 900 V -

漏源击穿电压 - 900 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 2.20 A -

上升时间 - 35 ns -

输入电容(Ciss) - 500pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 3.13 W -

下降时间 - 30 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 85W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -