对比图
型号 APT50GP60B2DQ2 APT50GP60B2DQ2G
描述 IGBT 600V 150A 625W TMAXTrans IGBT Chip N-CH 600V 150A 625000mW 3Pin(3+Tab) T-MAX
数据手册 --
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 IGBT晶体管
安装方式 - Through Hole
引脚数 - 3
封装 - TO-247-3
额定电压(DC) - 600 V
额定电流 - 150 A
耗散功率 - 625000 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 600 V
额定功率(Max) - 625 W
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 625 W 625000 mW
封装 - TO-247-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - Active
包装方式 - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99