对比图
描述 STMICROELECTRONICS BD238 单晶体管 双极, PNP, 80 V, 25 W, 2 A, 40 hFEPNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管ON SEMICONDUCTOR 2N4918G 双极晶体管
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3
频率 3 MHz 40 MHz 3 MHz
额定电压(DC) -100 V -100 V -40.0 V
额定电流 -2.00 A -4.00 A 1.00 A
无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free
针脚数 3 3 3
极性 PNP, P-Channel PNP PNP
耗散功率 25 W 15 W 30 W
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 40 V
热阻 - 8.34℃/W (RθJC) 4.16℃/W (RθJC)
集电极最大允许电流 - 4A 3A
最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 2V 40 @200mA, 1V 30 @500mA, 1V
最大电流放大倍数(hFE) - 180 150
额定功率(Max) 25 W 1.5 W 30 W
直流电流增益(hFE) 40 40 10
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 25000 mW 15000 mW 30000 mW
额定功率 25 W - -
增益频宽积 3 MHz - -
长度 7.8 mm 7.74 mm 7.74 mm
宽度 2.7 mm 2.66 mm -
高度 10.8 mm 11.04 mm -
封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2016/06/20 2016/06/20
ECCN代码 - EAR99 EAR99