对比图
型号 BC859BW,115 BC859BW,135 BC859BW
描述 SC-70 PNP 30V 0.1ASC-70 PNP 30V 0.1ATransistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 200mW; SOT323
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Diotec Semiconductor
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323
引脚数 - - 3
极性 PNP PNP -
耗散功率 200 mW 200 mW 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -
最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V -
最大电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V - -
额定功率(Max) 200 mW 200 mW -
耗散功率(Max) 200 mW 200 mW 200 mW
增益频宽积 - - 100 MHz
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 SOT-323-3 SOT-323-3 SOT-323
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
材质 - - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -