对比图
型号 BQ4010YMA-70N DS1225AD-70IND+ DS1225AD-70+
描述 8Kx8非易失SRAM 8Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1225AD-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM非易失性SRAM (NVSRAM), 64Kbit, 8K x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.75V至5.25V, EDIP-28
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片存储芯片
引脚数 28 28 28
封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28
安装方式 - Through Hole Through Hole
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
供电电流 50 mA - -
存取时间 70 ns 70 ns 70 ns
存取时间(Max) 70 ns - -
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.25 V
电源电压(Min) 4.5 V 4.5 V 4.75 V
针脚数 - 28 28
时钟频率 - 70.0 GHz 70.0 GHz
内存容量 - 8000 B 64000 B
长度 37.72 mm - -
宽度 18.42 mm 18.29 mm -
高度 9.4 mm - -
封装 DIP-28 EDIP-28 DIP-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free