对比图
型号 IRF640PBF IRF640,127 2SK1350
描述 Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.18Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3TO-220AB N-CH 200V 16ATRANSISTOR 15 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
数据手册 ---
制造商 Vishay Intertechnology NXP (恩智浦) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管
封装 TO-220 TO-220-3 -
安装方式 - Through Hole -
封装 TO-220 TO-220-3 -
产品生命周期 Active Obsolete Obsolete
包装方式 - Rail -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
极性 - N-CH -
耗散功率 - 136W (Tc) -
漏源极电压(Vds) - 200 V -
连续漏极电流(Ids) - 16A -
上升时间 - 45 ns -
输入电容(Ciss) - 1850pF @25V(Vds) -
下降时间 - 38 ns -
耗散功率(Max) - 136W (Tc) -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -