对比图
型号 IRF5210L IRF5210PBF IRF5210LPBF
描述 TO-262P-CH 100V 40AP 通道功率 MOSFET 超过 8A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF5210LPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3
额定功率 - 200 W 200 W
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 0.06 Ω 0.06 Ω
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200 W 200 W
阈值电压 - 4 V 4 V
输入电容 - 2700 pF -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V -
连续漏极电流(Ids) 40A 40A 38A
上升时间 - 86 ns 63 ns
输入电容(Ciss) 2700pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 200 W 3.1 W
下降时间 - 81 ns 55 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 200W (Tc) 200W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc)
长度 - 10.54 mm 10.54 mm
宽度 - 4.69 mm 4.69 mm
高度 - 8.77 mm 10.54 mm
封装 TO-262-3 TO-220-3 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17