MPSA55G和MPSA55RLRAG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MPSA55G MPSA55RLRAG MPSA55-AP

描述 ON SEMICONDUCTOR  MPSA55G  射频双极晶体管放大器晶体管 Amplifier TransistorsTO-92 PNP 80V 0.5A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

极性 PNP, P-Channel P-Channel PNP

耗散功率 625 mW 0.625 W 1500 mW

增益频宽积 - - 50 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 80 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 1.5 W 625 mW 1500 mW

频率 - 50 MHz -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -

额定电流 -500 mA -500 mA -

最小电流放大倍数(hFE) 100 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V -

额定功率(Max) 625 mW 625 mW -

针脚数 3 - -

热阻 83.3℃/W (RθJC) - -

直流电流增益(hFE) 150 - -

长度 5.2 mm - 4.7 mm

宽度 4.19 mm - 3.68 mm

高度 5.33 mm - 4.7 mm

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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