对比图
描述 N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N沟道增强型功率MOS晶体管 N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORSTO-220AB N-CH 100V 9.7A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 14.0 A -
漏源极电阻 0.2 Ω 180 mΩ -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 48 W 60W (Tc) 48W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 9.7A 14.0 A 9.7A
上升时间 23 ns 25.0 ns -
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 458pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 48W (Tc) 60W (Tc) 48W (Tc)
额定功率 48 W - -
针脚数 3 - -
阈值电压 4 V - -
输入电容 330pF @25V - -
下降时间 23 ns - -
工作温度(Max) 175 ℃ - -
工作温度(Min) -55 ℃ - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.54 mm - -
宽度 4.69 mm - -
高度 8.77 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -