对比图
型号 IRFR3709ZTRPBF IRFR3709ZTRRPBF IRFR3709Z
描述 N沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5VDPAK N-CH 30V 86ADPAK N-CH 30V 86A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) - - 30.0 V
额定电流 - - 86.0 A
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 79 W 79W (Tc) 79W (Tc)
产品系列 - - IRFR3709Z
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86.0 A
上升时间 12 ns 12 ns 12.0 ns
输入电容(Ciss) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds)
耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc)
额定功率 79 W 79 W -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0052 Ω - -
阈值电压 1.8 V - -
额定功率(Max) 79 W - -
下降时间 3.9 ns 3.9 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
长度 6.5 mm - -
宽度 6.22 mm - -
高度 2.3 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead