对比图
型号 IRF540NPBF IRFZ48VPBF IRF540PBF
描述 INFINEON IRF540NPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 44 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IRFZ48VPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 72 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 VMOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 140 W 150 W 150 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.044 Ω 0.012 Ω 0.077 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 130 W 150 W 150 W
阈值电压 4 V 4 V 4 V
输入电容 1960 pF 1985 pF 1700pF @25V
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 33A 72A 28.0 A
上升时间 35 ns 200 ns 44 ns
输入电容(Ciss) 1960pF @25V(Vds) 1985pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 130 W 150 W -
下降时间 35 ns 166 ns 43 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 130000 mW 150W (Tc) 150 W
额定电压(DC) - - 100 V
额定电流 - - 28.0 A
漏源击穿电压 - 60 V 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 10.54 mm 10.66 mm 10.41 mm
宽度 4.69 mm - 4.7 mm
高度 8.77 mm 8.77 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Tube Tube Box
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99