对比图
型号 STW20NK50Z STW60NE10 IRFP450B
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO- 247的STripFET功率MOSFET N - CHANNEL 100V - 0.016ohm - 60A TO-247 STripFET POWER MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
引脚数 3 - -
额定电压(DC) 500 V 100 V -
额定电流 17.0 A 60.0 A -
耗散功率 190 W 180W (Tc) 205 W
输入电容 2600 pF 5.30 nF -
栅电荷 - 185 nC -
漏源极电压(Vds) 500 V 100 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 60.0 A 14.0 A
输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 3800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 190W (Tc) 180W (Tc) 205W (Tc)
额定功率 190 W - -
通道数 1 - 1
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.23 Ω - 310 mΩ
极性 N-Channel - N-Channel
阈值电压 3.75 V - -
漏源击穿电压 500 V - 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - ±30.0 V
上升时间 20 ns - 130 ns
额定功率(Max) 190 W - -
下降时间 15 ns - 125 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-3-3
长度 15.75 mm - 16.2 mm
宽度 5.15 mm - 5 mm
高度 20.15 mm - 20.1 mm
工作温度 150℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2014/06/16 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - - NLR