FDP032N08和IRF2907ZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDP032N08 IRF2907ZPBF PHP29N08T,127

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP032N08  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0025 ohm, 10 V, 3.5 VTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeTO-220AB N-CH 75V 27A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0025 Ω - -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 375 W 300 W 88 W

阈值电压 3.5 V - -

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 235A 75.0 A 27A

输入电容(Ciss) 15160pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 810pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W 300 W 88 W

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 375W (Tc) - 88W (Tc)

额定电压(DC) - 75.0 V -

额定电流 - 75.0 A -

产品系列 - IRF2907Z -

上升时间 - 140 ns -

长度 10.1 mm - -

宽度 4.7 mm - -

高度 15.38 mm - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - EAR99 -

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