IPB123N10N3G和IPB12CN10NG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB123N10N3G IPB12CN10NG

描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET,100V 及以上### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能的OptiMOS ? 2电源晶体管特点N沟道,正常水平极低的导通电阻R DS OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-2 D2PAK

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 - 125 W

上升时间 8 ns -

输入电容(Ciss) 1880pF @50V(Vds) -

下降时间 5 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 94 W -

封装 TO-263-2 D2PAK

长度 10.31 mm -

宽度 9.45 mm -

高度 4.57 mm -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台