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IPB123N10N3G概述

Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上

安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 58A 3-Pin TO-263 T/R

Win Source:
OptiMOSTM3 Power-Transistor

IPB123N10N3G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 1880pF @50VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 94 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

长度 10.31 mm

宽度 9.45 mm

高度 4.57 mm

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPB123N10N3G

型号： IPB123N10N3G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

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替代型号IPB123N10N3G

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IPB123N10N3G Infineon 英飞凌	当前型号	当前型号
IPB12CN10NG 英飞凌	完全替代	IPB123N10N3G和IPB12CN10NG的区别

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