对比图
型号 BLF368 MRF141G BLF248,112
描述 甚高频推挽功率MOS晶体管 VHF push-pull power MOS transistor射频功率场效应管300W ， 175MHz的， 28V RF Power FET 300W, 175MHz, 28VTrans RF MOSFET N-CH 65V 25A 5Pin CDFM Bulk
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) M/A-Com NXP (恩智浦)
分类 晶体管晶体管晶体管
安装方式 Surface Mount Flange Screw
引脚数 5 5 5
封装 SOT-262 375-04 SOT-2621
频率 - 175 MHz 225 MHz
耗散功率 500 W 500000 mW -
漏源击穿电压 65 V 65.0V (min) -
输出功率 300 W 300 W 300 W
增益 13.5 dB 14 dB 11.5 dB
测试电流 - 500 mA -
输入电容(Ciss) 495pF @32V(Vds) 350pF @28V(Vds) 500pF @28V(Vds)
耗散功率(Max) 500000 mW 500000 mW 500000 mW
额定电压 - 65 V -
额定电流 25.0 A - 25 A
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 65 ℃ - -65 ℃
电源电压(DC) 32.0 V - -
额定电压(DC) 65.0 V - -
漏源极电阻 150 mΩ - -
阈值电压 4.5 V - -
漏源极电压(Vds) 65.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 25.0 A - -
上升时间 15 ns - -
下降时间 20 ns - -
封装 SOT-262 375-04 SOT-2621
长度 34.17 mm - -
宽度 10.29 mm - -
高度 5.77 mm - -
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Bulk Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR -