对比图
型号 FF200R12KE3HOSA1 SKM200GB12E4 SKM200GB12T4
描述 Infineon FF200R12KE3HOSA1 N通道 IGBT 模块, 串行, 295 A, Vce=1200 V, 7引脚 62MM 模块封装SEMIKRON SKM200GB12E4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, ModuleSEMIKRON SKM200GB12T4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双N沟道, 313 A, 1.8 V, 1.2 kV, Module
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Semikron (赛米控) Semikron (赛米控)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 - - Screw
引脚数 7 7 7
封装 AG-62MM-1 Semitrans3 Semitrans3
针脚数 - 7 7
极性 - Dual N-Channel Dual N-Channel
热阻 - - 0.038K/W (RθJC)
工作温度(Max) 125 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率 1.05 kW - -
击穿电压(集电极-发射极) 1200 V - -
输入电容(Cies) 14nF @25V - -
额定功率(Max) 1050 W - -
耗散功率(Max) 1050000 mW - -
长度 106.4 mm 106.4 mm 106.4 mm
封装 AG-62MM-1 Semitrans3 Semitrans3
宽度 61.4 mm 61.4 mm -
高度 29 mm 30 mm -
工作温度 -40℃ ~ 125℃ - -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tray - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
含铅标准 Lead Free Lead Free -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -