对比图
型号 PUMB10 PUMB10,115
描述 NXP PUMB10 双极晶体管阵列, BRT, PNP, 50 V, 200 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-363NXP PUMB10,115 双极晶体管阵列, BRT, PNP, -50 V, 200 mW, -100 mA, 100 hFE, SOT-363
数据手册 --
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6
封装 SOT-363 SOT-363-6
耗散功率 200 mW 200 mW
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V
最小电流放大倍数(hFE) 100 100 @10mA, 5V
额定功率(Max) - 300 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 300 mW
针脚数 6 6
极性 PNP PNP
集电极最大允许电流 100mA 100mA
直流电流增益(hFE) 100 100
长度 2.2 mm -
宽度 1.35 mm -
高度 1 mm 1 mm
封装 SOT-363 SOT-363-6
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - -