对比图
描述 STMICROELECTRONICS VNP28N04-E MOSFET Transistor, N Channel, 14A, 48V, 35mohm, 10V, 3VSTMICROELECTRONICS VNP35N07-E 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定功率 83 W 125 W
输出接口数 1 1
供电电流 0.25 mA -
漏源极电阻 0.035 Ω 0.028 Ω
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 83 W 125 W
阈值电压 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 48 V 80 V
漏源击穿电压 42.0 V 70.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 18.0 A
输出电流(Max) 20 A 25 A
输出电流(Min) 20 A 35 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 83000 mW 125000 mW
输出电流 - 35 A
通道数 - 1
针脚数 - 3
输入电压(Max) - 18 V
输入数 - 1
输入电压 - 18 V
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
高度 - 15.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99