VNP28N04-E和VNP35N07-E

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNP28N04-E VNP35N07-E

描述 STMICROELECTRONICS VNP28N04-E MOSFET Transistor, N Channel, 14A, 48V, 35mohm, 10V, 3VSTMICROELECTRONICS  VNP35N07-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 83 W 125 W

输出接口数 1 1

供电电流 0.25 mA -

漏源极电阻 0.035 Ω 0.028 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 83 W 125 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 48 V 80 V

漏源击穿电压 42.0 V 70.0 V

连续漏极电流(Ids) 14.0 A 18.0 A

输出电流(Max) 20 A 25 A

输出电流(Min) 20 A 35 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83000 mW 125000 mW

输出电流 - 35 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

输入电压(Max) - 18 V

输入数 - 1

输入电压 - 18 V

封装 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm

高度 - 15.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99

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