STB60NF06T4和STP200NF03

对比图

型号 STB60NF06T4 STP200NF03 IRFZ44VSPBF

描述 N沟道60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK / I2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.014ヘ - 60A - D2PAK/I2PAK STripFET⑩ II Power MOSFETN 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 55A 3Pin (2+Tab) D2PAK

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 -

额定电压(DC) 60.0 V 30.0 V 60.0 V

额定电流 60.0 A 120 A 55.0 A

漏源极电阻 15.0 mΩ 0.0032 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 110 W 300 W 115 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 30 V 60.0 V

漏源击穿电压 60.0 V 30.0 V 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 60.0 A 60.0 A 55.0 A

上升时间 108 ns 195 ns 97.0 ns

输入电容(Ciss) 1810pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 110 W 300 W -

下降时间 20 ns 60 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 300000 mW -

额定功率 - - 115 W

产品系列 - - IRFZ44VS

输入电容 - - 1.81 nF

栅电荷 - - 67.0 nC

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 TO-263-3 TO-220-3 -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active End of Life

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -