对比图
型号 IRF840AS IRF840ASTRR SPB04N60C3
描述 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKMOSFET N-CH 500V 8A D2PAKINFINEON SPB04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 4 3
耗散功率 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 50 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 650 V
输入电容(Ciss) 1018pF @25V(Vds) 1018pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 50W (Tc)
额定电压(DC) - - 650 V
额定电流 - - 4.50 A
通道数 - - 1
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.85 Ω
极性 - - N-Channel
阈值电压 - - 3 V
连续漏极电流(Ids) - - 4.50 A
上升时间 - - 2.5 ns
额定功率(Max) - - 50 W
下降时间 - - 9.5 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.31 mm
宽度 - - 9.25 mm
高度 - - 4.57 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17