PD57018S-E和PD57018STR-E

对比图

型号 PD57018S-E PD57018STR-E PD57018S

描述 RF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF power transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode lateral MOSFETsRF功率晶体管， LDMOST塑料家族的N沟道增强模式，横向MOSFET的 RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILY

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管晶体管晶体管

封装 PowerSO-10RF-2 PowerSO-10RF PowerSO-10

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

频率 945 MHz 945 MHz 945 MHz

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 31.7 W 31700 mW 31.7 W

漏源击穿电压 65 V - 65.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 2.50 A - 2.50 A

输出功率 18 W 18 W 18 W

增益 16.5 dB 16.5 dB 16.5 dB

测试电流 100 mA 100 mA 100 mA

额定电压 65 V 65 V 65 V

额定电压(DC) 65.0 V - -

额定电流 2.5 A 2.5 A -

通道数 1 - -

漏源极电阻 760 mΩ - -

漏源极电压(Vds) 65.0 V - -

输入电容(Ciss) 34.5pF @28V(Vds) 34.5pF @28V(Vds) -

工作温度(Max) 165 ℃ 165 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 31700 mW 31700 mW -

封装 PowerSO-10RF-2 PowerSO-10RF PowerSO-10

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 165℃ -65℃ ~ 165℃ -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -