对比图
型号 ECH8601M-TL-H-P ECH8697R-TL-W
描述 MOSFET 2N-CH24V,10A,11.6mΩ,双共漏极N通道功率MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 SMD-8 SOT-28
引脚数 - 8
漏源极电压(Vds) 24 V 24 V
针脚数 - 8
漏源极电阻 - 0.0093 Ω
极性 - Dual N-Channel
耗散功率 - 1.5 W
阈值电压 - 1.3 V
上升时间 - 230 ns
额定功率(Max) - 1.5 W
下降时间 - 23.6 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 1600 mW
封装 SMD-8 SOT-28
长度 - 2.96 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17