对比图
描述 高电流晶体管 High Current Transistors高电流晶体管 High Current Transistors高电流晶体管 High Current Transistors
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
频率 - 200 MHz 200 MHz
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 625 mW 0.625 W
增益频宽积 - 200 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 625 mW 625 mW
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 1.00 A - 1.00 A
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Box Tape & Reel (TR) Bulk
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99