对比图
型号 FQP5P20 IRF9620PBF
描述 200V P沟道MOSFET 200V P-Channel MOSFET功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) -200 V -200 V
额定电流 -4.80 A -3.50 A
额定功率 - 40 W
针脚数 - 3
漏源极电阻 1.4 Ω 1.5 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 75 W 40 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
漏源击穿电压 200 V -200 V
连续漏极电流(Ids) 4.80 A -3.50 A
上升时间 70 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 430pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 40 W
下降时间 25 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 40 W
通道数 1 -
栅源击穿电压 ±30.0 V -
长度 10.67 mm 10.41 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm
高度 16.3 mm 9.01 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
最小包装 - 50
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 EAR99 -