MSD601-RT1和MSD601-RT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MSD601-RT1 MSD601-RT1G MSD601-RT2

描述 NPN通用放大器晶体管表面贴装 NPN General Purpose Amplifier Transistors Surface MountMSD601-R: NPN 双极晶体管SC-59 NPN 50V 0.1A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-59

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

额定电压(DC) 50.0 V 50.0 V -

额定电流 100 mA 100 mA -

耗散功率 - 0.2 W -

最小电流放大倍数(hFE) 210 @2mA, 10V 210 @2mA, 10V -

额定功率(Max) 200 mW 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SC-59

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台