RFP70N06和RFP8P05

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP70N06 RFP8P05 RFP50N06

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP70N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 70 A, 60 V, 14 mohm, 10 V, 4 VP沟道 50V 8AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  RFP50N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 22 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

通道数 - 1 1

漏源极电阻 14 mΩ 300 mΩ 22 mΩ

耗散功率 150 W 48 W 131 W

漏源击穿电压 60.0 V 50 V 60 V

上升时间 137 ns 30 ns 55 ns

下降时间 24 ns 20 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V

额定电流 70.0 A - 50.0 A

额定功率 150 W - 131 W

针脚数 3 - 3

极性 N-Channel - N-Channel

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 70.0 A - 50.0 A

输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) - 2020pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 150 W - 131 W

耗散功率(Max) 150W (Tc) - 131 W

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 4.83 mm 4.7 mm 4.83 mm

高度 9.4 mm 16.3 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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