FDS5690和IRF7478TR

对比图

型号 FDS5690 IRF7478TR IRF7478

描述 FDS5690 系列 60 V 28 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet SOIC-8MOSFET MOSFET, 60V, 7.6A, 26mOhm, 21NC Qg, SO-8Trans MOSFET N-CH 60V 7A 8Pin SOIC

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管晶体管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 7.00 A 4.20 A 4.20 A

产品系列 - IRF7478 IRF7478

漏源极电压(Vds) 60 V 60.0 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7.00 A 7.00 A

上升时间 9 ns 2.60 ns 2.60 ns

漏源极电阻 28.0 mΩ - -

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 2.5 W - 2.5 W

输入电容 1.11 nF - -

栅电荷 23.0 nC - -

漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

输入电容(Ciss) 1107pF @30V(Vds) - 1740pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W - 2.5 W

下降时间 10 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -