BUZ325和IRFP350

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ325 IRFP350 IRFP350PBF

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor16A , 400V , 0.300 Ohm的N通道功率MOSFET 16A, 400V, 0.300 Ohm, N-Channel Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3Pin(3+Tab) TO-247AC

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Intersil (英特矽尔) Vishay Siliconix

分类 MOS管FET驱动器MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-218 - TO-247-3

极性 N-CH - -

漏源极电压(Vds) 400 V - 400 V

连续漏极电流(Ids) 12.5A - -

耗散功率 - - 190 W

上升时间 - - 49 ns

输入电容(Ciss) - - 2600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 190 W

下降时间 - - 47 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 190W (Tc)

封装 TO-218 - TO-247-3

长度 - - 15.87 mm

宽度 - - 5.31 mm

高度 - - 20.82 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司