对比图
型号 CY7C1414KV18-250BZXI CY7C1414KV18-250BZXIT CY7C1414KV18-250BZC
描述 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture静态随机存取存储器 36Mb 1.8V 250Mhz 1M x 36 QDR II 静态随机存取存储器36 - Mbit的QDR ？ II SRAM的2字突发架构 36-Mbit QDR? II SRAM 2-Word Burst Architecture
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
供电电流 - - 730 mA
时钟频率 - - 250 MHz
位数 36 36 36
存取时间 - - 1 ms
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
电源电压(Max) - - 1.9 V
电源电压(Min) - - 1.7 V
针脚数 165 - -
高度 0.89 mm - 0.89 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 无铅 无铅
ECCN代码 3A991 3A991.b.2.a 3A991.b.2.a