FQU7N20和FQU7N20TU

对比图

型号 FQU7N20 FQU7N20TU IRFU210PBF

描述 200V N沟道MOSFET 200V N-Channel MOSFETN沟道 200V 5.3ATrans MOSFET N-CH 200V 2.6A 3Pin(3+Tab) IPAK

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 IPAK TO-251-3 TO-251-3

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5.3A 5.30 A -

耗散功率 - 2.5 W 2.5W (Ta), 25W (Tc)

输入电容(Ciss) - 400pF @25V(Vds) 140pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 45W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc)

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 5.30 A -

漏源极电阻 - 690 mΩ -

漏源击穿电压 - 200 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

上升时间 - 65 ns -

下降时间 - 35 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 IPAK TO-251-3 TO-251-3

长度 - 6.8 mm -

宽度 - 2.5 mm -

高度 - 6.3 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 -