FDS3572和FDS3572_NL

对比图

型号 FDS3572 FDS3572_NL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS3572..  场效应管, MOSFET, N沟道N沟道 80V 8.9A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 -

封装 SOIC-8 SOIC

额定电压(DC) 80.0 V -

额定电流 8.90 A -

针脚数 8 -

漏源极电阻 0.014 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 2.5 W -

阈值电压 4 V -

输入电容 1.99 nF -

栅电荷 31.0 nC -

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V

漏源击穿电压 80.0 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 8.90 A 8.9A

上升时间 14 ns -

输入电容(Ciss) 1990pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 2.5 W -

下降时间 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) -

长度 5 mm -

宽度 4 mm -

高度 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99